一种高导热率碳化硅器件封装结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种高导热率碳化硅器件封装结构。所述高导热率碳化硅器件封装结构包括绝缘基板、电路层、金属层及热沉，所述绝缘基板位于所述电路层及所述金属层之间，所述金属层的下表面形成有若干导热窗口，并覆盖于所述热沉上。所述电路层的厚度在0.1mm～3.0mm的范围内，用于通过刻蚀形成所需的电路图案。所述绝缘基板用于防止所述电路层与所述金属层电性接触。所述金属层的厚度在0.1mm～4.0mm的范围内，用于减少所述绝缘基板与所述热沉之间线性膨胀差，且所述金属层与所述电路层的厚度之比大于或等于1.4且小于或等于12。如此，能够有效减少封装结构翘曲，提高碳化硅器件结构的导热率和可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种高导热率碳化硅器件封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021330524.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-07
授权号 ：
CN212517193U
授权日 ：
2021-02-09
发明人 ：
杜蕾和巍巍汪之涵
申请人 ：
深圳基本半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市坪山区坑梓街道办事处秀新社区锦绣中路14号深福保现代光学厂区B栋201
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021330524.4
主分类号 ：
H01L23/498
IPC分类号 ：
H01L23/498 H01L23/367 H01L23/373
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/498
引线位于绝缘衬底上的
法律状态
2021-02-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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