QFN封装器件结构
授权
摘要
本实用新型公开一种QFN封装器件结构，包括位于环氧绝缘体中的散热焊盘、芯片和导电焊盘，所述芯片通过银浆安装在散热焊盘上，此散热焊盘周边设有若干个导电焊盘，此导电焊盘和芯片通过一引线连接，所述导电焊盘底面具有一导电凸点，此导电凸点的高度与导电焊盘宽度的比值为1:5~1:2，所述导电凸点位于导电焊盘内侧，所述导电凸点内侧曲面与导电焊盘底面的夹角小于其外侧曲面与导电焊盘底面的夹角，所述散热焊盘上具有多个凸块，所述芯片底面与凸块接触，部分所述银浆填充在凸块之间。本实用新型解决了导电焊盘虚接率较高，产品成型质量差、不良率高的问题。
基本信息
专利标题 ：
QFN封装器件结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921096005.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-12
授权号 ：
CN210325752U
授权日 ：
2020-04-14
发明人 ：
彭兴义
申请人 ：
盐城芯丰微电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省盐城市大丰区新丰镇梦想大道8号
代理机构 ：
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 ：
王健
优先权 ：
CN201921096005.3
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L23/367 H01L23/488
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2020-04-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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