半导体器件及其封装结构
授权
摘要
公开了一种半导体器件及其封装，包括半导体衬底、外延层、位于外延层中的隔离区、栅区、源区、漏区以及第一电极和第二电极；第一电极位于半导体器件的上表面上，与漏区电连接；第二电极位于半导体衬底的第二表面上，经由半导体衬底、隔离区与栅区和源区电连接。该半导体器件将第一电极和第二电极分别设置在半导体器件的上表面和下表面，可以适应不同封装形式的要求。本实用新型还提供一种半导体器件的封装结构，在第二支架的支撑部上设置凹槽以固定与芯片上表面电连接的第三支架，对第三支架起到限位作用，并且防止第三支架在塑封体的作用力下发生移动，从而确保第三支架与半导体器件之间保持有效电连接。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123016154.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-03
授权号 ：
CN216528901U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
杨京花韦仕贡常国张欣慰
申请人 ：
北京燕东微电子科技有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区经海四路51号院1号楼5层516
代理机构 ：
北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人 ：
岳丹丹
优先权 ：
CN202123016154.4
主分类号 ：
H01L29/861
IPC分类号 ：
H01L29/861 H01L23/495 H01L23/31
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
