半导体器件的封装结构
授权
摘要
本公开提供了一种半导体器件的封装结构。该封装结构包括：基板，基板的上表面上设置有凹槽，凹槽的侧表面下端具有阶梯部，并且在凹槽的底表面上设置有焊接区域；第一封装胶体，设置在阶梯部的上表面和凹槽的位于阶梯部上方的侧表面上；半导体器件，设置在凹槽中，半导体器件的侧表面和下表面的外缘抵接第一封装胶体；导电凸块，设置在半导体器件的下表面的焊盘上，用于电连接到焊接区域中的焊盘，其中导电凸块的高度大于或等于阶梯部的高度；以及第二封装胶体，设置成覆盖第一封装胶体的上表面、半导体器件的上表面和基板的上表面。根据本公开的半导体器件的封装结构，能够减小半导体器件的封装结构的尺寸并且降低半导体器件的封装结构的成本。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123409347.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
CN216451349U
授权日 ：
2022-05-06
发明人 ：
唐滨陈小军赖志国杨清华
申请人 ：
苏州汉天下电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城东北区39幢
代理机构 ：
北京允天律师事务所
代理人 ：
李建航
优先权 ：
CN202123409347.6
主分类号 ：
H03H9/02
IPC分类号 ：
H03H9/02 H03H9/05 H03H9/10
法律状态
2022-05-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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