一种具有p+区域自对准工艺的碳化硅MOSFET器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种具有p+区域自对准工艺的碳化硅MOSFET器件，包括自下而上依次设置的背面漏极金属、碳化硅衬底和碳化硅外延层，所述碳化硅外延层上方内部设置有两组对称布设的p阱，所述p阱内部中间部位设置有由第一次自对准工艺得到的源极接触n+区域，所述源极接触n+区域内部中间部位设置有由第二次自对准工艺得到的源极接触p+区域，所述碳化硅外延层上表面上设置有第一绝缘栅介质层，所述栅电极上和源极接触孔的侧壁上设置有第二绝缘栅介质层。本实用新型实现了沟道区域的自对准工艺，同时也实现了P+区域的自对准工艺，减少了一次光刻，简化工艺，节约制造成本，同时提高了碳化硅MOSFET器件导通电阻的均匀性与长期可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种具有p+区域自对准工艺的碳化硅MOSFET器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921548052.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-18
授权号 ：
CN210778610U
授权日 ：
2020-06-16
发明人 ：
姚金才陈宇朱超群
申请人 ：
深圳爱仕特科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市福田区福保街道市花路5号长富金茂大厦22层2201-01
代理机构 ：
深圳倚智知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
霍如肖
优先权 ：
CN201921548052.7
主分类号 ：
H01L29/16
IPC分类号 ：
H01L29/16 H01L29/45 H01L21/336 H01L29/78
法律状态
2020-06-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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