自对准锗硅HBT器件监控本征基区掺杂的结构及工艺方法
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摘要
本发明公开了一种自对准锗硅HBT器件监控本征基区(发射区扩散后的锗硅基区)掺杂的测试结构，所述测试结构在长度方向上由两部分电阻串联而成：一部分由外基区高掺杂锗硅区电阻和未掺杂的锗硅外延区link电阻串联而成，另一部分为发射区扩散到基区后的pinch电阻；在宽度方向上也由两部分组成：在两侧有未掺杂的锗硅外延区link电阻，中间为所述串联电阻；这两个电阻并联。本发明可有效监控自对准锗硅HBT器件中本征基区的掺杂浓度，在研发过程中可以比较不同锗硅工艺菜单的P型浓度，以及发射极掺杂和热开销的影响，并和HBT器件的电测试结果比较来验证实验是否符合设计要求；在量产过程中，可以监控锗硅外延及发射极掺杂和热开销的工艺稳定性。
基本信息
专利标题 ：
自对准锗硅HBT器件监控本征基区掺杂的结构及工艺方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108899368A
申请号 ：
CN201810696072.2
公开（公告）日 ：
2018-11-27
申请日 ：
2018-06-29
授权号 ：
CN108899368B
授权日 ：
2022-05-20
发明人 ：
周正良
申请人 ：
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
戴广志
优先权 ：
CN201810696072.2
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L21/335 H01L29/06
法律状态
2022-05-20 ：
授权
2018-12-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/778
申请日 : 20180629
申请日 : 20180629
2018-11-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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