刻蚀顶端非掺杂本征层非对称金属膜垂直腔面发射激光器
其他有关事项(避免重复授权放弃专利权)
摘要
本实用新型涉及一种刻蚀顶端非掺杂本征层非对称金属膜垂直腔面发射激光器和制备方法。它包括布拉格反射镜，高阻层，电极，衬底，量子阱有源区。上表面刻蚀的圆形金属反射膜、金属膜导线以及金属膜与上电极的接触层和上电极；在衬底的下表面有圆形金属反射膜、下表面金属膜导线、下表面电极。本实用新型引入非掺杂的本征层中刻出电流孔径，结合上表面与衬底表面刻蚀金属膜非对称结构实现电流和光场限制，发挥了金属膜的电极和反射镜功效，简化垂直腔面发射激光器列阵集成化工艺，并且降低了分布布拉格反射镜的对数，限制电流扩散区域，提高注入电流的光电耦合效率，本征高阻层和芯片一次生长完成，避免质子轰击或分别氧化工艺，有利于集成化。
基本信息
专利标题 ：
刻蚀顶端非掺杂本征层非对称金属膜垂直腔面发射激光器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200720095047.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2007-01-23
授权号 ：
CN201001004Y
授权日 ：
2008-01-02
发明人 ：
赵红东孙梅韩力英康志龙田红丽何平张效玮
申请人 ：
河北工业大学
申请人地址 ：
300130天津市红桥区丁字沽光荣道8号河北工业大学知识产权办公室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN200720095047.6
主分类号 ：
H01S5/183
IPC分类号 ：
H01S5/183 H01S5/187 H01S5/34 H01S5/028 H01S5/00
法律状态
2009-07-01 ：
其他有关事项(避免重复授权放弃专利权)
放弃生效日 : 2007123
2008-01-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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