带深L形基区的单侧斜面栅碳化硅MOSFET器件
授权
摘要
本实用新型公开了带深L形基区的单侧斜面栅碳化硅MOSFET器件，包括从下至上依次为漏极金属、漏极金属上方的碳化硅N+衬底、N+衬底上的N‑漂移区、N‑漂移层中的P+屏蔽层、N‑漂移层上方的栅结构、N‑漂移层上方的栅结构左侧的第一P型基区、N‑漂移层上方的栅结构右侧的第二P型基区、第一P型基区上方左侧为第一P+欧姆接触区、上方右侧为第一N+欧姆接触区，第一P型基区下方的N型电流扩展层，第二P型基区上方左侧的第二N+欧姆接触区、上方右侧的第二P+欧姆接触区；第一P+欧姆接触区和第一N+欧姆接触区上方设有第一源极金属；第二P+欧姆接触区和第二N+欧姆接触区上方设有第二源极金属。
基本信息
专利标题 ：
带深L形基区的单侧斜面栅碳化硅MOSFET器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122730021.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-09
授权号 ：
CN216213476U
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
董志华刘辉刘国华程知群
申请人 ：
杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司;杭州电子科技大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市富阳区银湖街道银湖花苑3号楼三层
代理机构 ：
杭州昱呈专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
雷仕荣
优先权 ：
CN202122730021.7
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/423 H01L29/06 H01L21/04
法律状态
2022-04-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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