一种碳化硅双侧深L形基区结构的MOSFET器件
授权
摘要
本实用新型涉及一种碳化硅双侧深L形基区结构的MOSFET器件，该MOSFET器件包括：外延层；基区，位于所述外延层的两侧；漂移层，位于所述外延层和所述基区的下表面；衬底层，位于所述漂移层下表面；漏极，位于所述衬底层下表面；第一源区，位于所述基区的预设区域的上表面；第二源区，位于所述基区的其余区域的上表面；源极，位于所述第一源区和所述第二源区的上表面；栅介质层，位于所述外延层的上表面，且与所述基区连接；多晶硅层，位于所述栅介质层内表面；栅极，位于所述多晶硅层的上表面。本实用新型的这种MOSFET器件，通过改变P型基区的结构，在不增大器件元胞面积的情况下，降低了槽栅拐角的电场聚集，提高了器件的击穿电压。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅双侧深L形基区结构的MOSFET器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920792089.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-29
授权号 ：
CN209804661U
授权日 ：
2019-12-17
发明人 ：
宋庆文张玉明白瑞杰汤晓燕吴勇袁昊韩超
申请人 ：
西安电子科技大学芜湖研究院
申请人地址 ：
安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包产业园4号楼1205室
代理机构 ：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘长春
优先权 ：
CN201920792089.8
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/06 H01L21/336
法律状态
2019-12-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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