一种大功率双极型半导体器件宽基区集总电荷建模方法
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摘要
本发明公开了一种大功率双极型半导体器件宽基区集总电荷建模方法。它将宽基区分成宽度相等的n个区域，采用n个集总电荷来分别表示n个区域内的电荷分布，n≥3，根据区域的电荷分布以及电荷运动机理定义漂移电流和扩散电流，通过电流密度方程确定相邻区域之间的空穴电流和电子电流，根据电流连续性方程确定每个区域电荷引起的复合电流，以空穴电流、电子电流和复合电流为基础建立宽基区集总电荷模型。本发明提高了宽基区集总电荷模型的仿真精度，实现对多工况下的大功率双极型半导体器件宽基区内电荷量的准确计算。
基本信息
专利标题 ：
一种大功率双极型半导体器件宽基区集总电荷建模方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108763696A
申请号 ：
CN201810477732.8
公开（公告）日 ：
2018-11-06
申请日 ：
2018-05-18
授权号 ：
CN108763696B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
段耀强李鑫罗毅飞刘宾礼黄永乐肖飞
申请人 ：
中国人民解放军海军工程大学
申请人地址 ：
湖北省武汉市解放大道717号
代理机构 ：
武汉开元知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄行军
优先权 ：
CN201810477732.8
主分类号 ：
G06F17/50
IPC分类号 ：
G06F17/50
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2018-11-30 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 17/50
申请日 : 20180518
申请日 : 20180518
2018-11-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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