IGBT器件结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种IGBT器件结构，包括半导体衬底、沟槽区、栅氧化层、发射极电极、绝缘介质层、N+发射极区、N型基区、N型场终止区、P型基区、P+深阱区、P型集电极区、集电极以及形成于所述半导体衬底正面和所述沟槽区内的复合栅电极，复合栅电极是由平面栅极与沟槽栅极相结合构成。本实用新型的IGBT器件结构，采用复合栅电极，增大了元胞导通时的沟道长度，也就增大器件导通时的沟道电阻，从而降低了IGBT器件结构的饱和电流，增强了IGBT器件的短路能力；同时也增大了元胞间距，使之获得较低的饱和电流密度，从而进一步增强IGBT器件结构的抗闩锁能力。
基本信息
专利标题 ：
IGBT器件结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922185643.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-09
授权号 ：
CN210984734U
授权日 ：
2020-07-10
发明人 ：
温世达陶少勇吕磊曹新明
申请人 ：
安徽瑞迪微电子有限公司
申请人地址 ：
安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区科技产业园1号楼2层209
代理机构 ：
芜湖安汇知识产权代理有限公司
代理人 ：
朱顺利
优先权 ：
CN201922185643.9
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L29/739 H01L21/28 H01L21/331
法律状态
2020-07-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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