一种MOSFET器件本征特性参数的描述模型及参数辨识方法
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摘要
一种MOSFET器件本征特性参数的描述模型及参数辨识方法，该描述模型为对PN结结电容偏置电压的分数阶模型该描述模型的参数辨识方法是一种基于差分进化算法的分数阶多目标离线参数辨识方法，该方法包含以下步骤：1)根据某种型号MOSFET的数据手册获得结电容容值随偏置电压变化的数据；2)根据分数阶模型得到的结电容随偏置电压关系；3)将分数阶模型CE与数据手册中对应容值的平均绝对百分比误差作为基于差分进化的参数辨识方法的目标函数进行数据拟合。本发明所提描述模型能够准确地描述MOSFET器件本征特性参数PN结结电容随偏置电压变化曲线，从而能够为含有该类元件的电路系统设计与可靠性分析提供参考依据。
基本信息
专利标题 ：
一种MOSFET器件本征特性参数的描述模型及参数辨识方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112232008A
申请号 ：
CN202011104826.4
公开（公告）日 ：
2021-01-15
申请日 ：
2020-10-15
授权号 ：
CN112232008B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
陈曦黄亿席磊
申请人 ：
三峡大学
申请人地址 ：
湖北省宜昌市西陵区大学路8号
代理机构 ：
宜昌市三峡专利事务所
代理人 ：
吴思高
优先权 ：
CN202011104826.4
主分类号 ：
G06F30/367
IPC分类号 ：
G06F30/367
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G
G部——物理
G06
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G06F
电数字数据处理
G06F30/367
设计验证，例如，采用仿真，集成电路仿真程序，直接方法或松弛方法
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2021-02-02 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 30/367
申请日 : 20201015
申请日 : 20201015
2021-01-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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