碳化硅(SiC)二极管温度传感器
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种新的碳化硅二极管温度传感器，具有PN结的单晶体电阻小，对传感器的非线性影响很小的特性。该碳化硅二极管温度传感器采用一种微晶玻璃包封PN结，实现包封温度较低，不损伤电极材料和电极欧姆接触性能，并提高了使用温度上限，可用于0～700℃测温。
基本信息
专利标题 ：
碳化硅(SiC)二极管温度传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85109140A
申请号 ：
CN85109140.7
公开（公告）日 ：
1987-09-30
申请日 ：
1985-12-12
授权号 ：
CN85109140B
授权日 ：
1988-06-29
发明人 ：
綦明刚周嶅邱莉吴铁张咏紫邹小兴
申请人 ：
湖北省襄樊市机电研究所;国家建材工业局建筑材料科学研究院玻璃科学研究所
申请人地址 ：
湖北省襄樊市长征路158号
代理机构 ：
襄樊市专利事务所
代理人 ：
孟景前
优先权 ：
CN85109140.7
主分类号 ：
H01L35/00
IPC分类号 ：
H01L35/00 G01K7/02
法律状态
1995-02-08 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1989-09-06 ：
授权
1989-04-26 ：
被视为撤回的申请
1988-06-29 ：
审定
1987-09-30 ：
公开
1987-02-25 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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