封装内保护碳化硅二极管
授权
摘要
本实用新型属于半导体技术领域，具体涉及封装内保护碳化硅二极管。该碳化硅二极管包括封装外壳、位于封装外壳内的一个或多个串联在一起的芯片以及连接于封装外壳两端的引线，所述芯片内并联设有碳化硅二极管和电容器，所述电容器与电阻串联；当碳化硅二极管个数大于2时，相邻的碳化硅二极管共阴设置或共阳设置；每个碳化硅二极管分别与串联在一起的电容器和电阻并联；所述电阻为普通电阻或氧化锌电阻。该种封装内保护碳化硅二极管，在封装结构内可以消除吸收碳化硅二极管在应用时与电感元件所产生的尖峰高压，从而保护电路，提高碳化硅二极管的使用寿命；并缩短连接电路所需的引线，消除引线电感，防止引线辐射，减少电磁干扰。
基本信息
专利标题 ：
封装内保护碳化硅二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922398096.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-27
授权号 ：
CN211480022U
授权日 ：
2020-09-11
发明人 ：
吕全亚郭建新刘域庭徐晨辰陈莉娜
申请人 ：
常州佳讯光电产业发展有限公司
申请人地址 ：
江苏省常州市新北区镜湖路8号
代理机构 ：
常州市华信天成专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
何学成
优先权 ：
CN201922398096.2
主分类号 ：
H01L25/16
IPC分类号 ：
H01L25/16 H01L23/08
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/16
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个不同大组内的类型的器件，例如构成混合电路的
法律状态
2020-09-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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