一种过压过流保护二极管封装结构
授权
摘要
本实用新型公开的一种过压过流保护二极管封装结构，包括过流过压保护二极管芯片、第一、二引脚以及塑封结构；第一、二引脚分别具有第一、二芯片焊接部、第一、二PCB板连接部以及第一、二连接部，其还包括第一、二铜粒，第一、二铜粒分别焊接在过流过压保护二极管芯片的上下两极，第一、二芯片焊接部分别焊接在第一、二铜粒上；塑封结构封装第一、二芯片焊接部、第一、二连接部、第一、二铜粒、过流过压保护二极管芯片；第一、二PCB板连接部均位于塑封结构的外侧，第一、二PCB板连接部的末端均翻折至与塑封结构的底面平行的状态并贴近塑封结构的底面。通过在过流过压保护二极管芯片与第一、二引脚的第一、二芯片焊接部之间设置第一、二铜粒，提高了散热效果。
基本信息
专利标题 ：
一种过压过流保护二极管封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021725196.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-18
授权号 ：
CN212648221U
授权日 ：
2021-03-02
发明人 ：
林茂昌刘文松
申请人 ：
上海金克半导体设备有限公司
申请人地址 ：
上海市闵行区颛兴路1421弄135号（1栋B区）
代理机构 ：
上海天翔知识产权代理有限公司
代理人 ：
吕伴
优先权 ：
CN202021725196.8
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L23/495 H01L29/861
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2021-03-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
