碳化硅中形成的蓝光发射二极管
专利权的终止
摘要
本发明包含有在碳化硅中形成的发光二极管，它发射介于约465至470nm，或介于约455至460nm，或介于约424至428nm波长的可见光。该二极管包含具有第一导电型的α型碳化硅的基片和在具有相同导电型的用作为基片的在基片上的α型碳化硅的第一外延层。一个在第一外延层上的α型碳化硅的第二外延层，具有与第一层相反的导电型，并与第一外延层形成一个p-n结。在最佳实施例中，第一和第二外延层的载流子浓度相互间具有足够的差别，使在偏置条件下流过结的空穴流和电子流的流量相互间有所不同，故而主要的复合作用在所要求的外延层内发生。
基本信息
专利标题 ：
碳化硅中形成的蓝光发射二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1044549A
申请号 ：
CN89109795.3
公开（公告）日 ：
1990-08-08
申请日 ：
1989-12-14
授权号 ：
CN1019436B
授权日 ：
1992-12-09
发明人 ：
约翰·A·埃德蒙
申请人 ：
克里研究公司
申请人地址 ：
美国北卡罗来纳州
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
付康
优先权 ：
CN89109795.3
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
法律状态
2010-05-26 ：
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101002198217
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL891097953
申请日 : 19891214
授权公告日 : 19930908
号牌文件序号 : 101002198217
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL891097953
申请日 : 19891214
授权公告日 : 19930908
2002-04-24 ：
其他有关事项
2000-10-18 ：
著录项目变更
变更事项 : 专利权人
变更前 : 克里研究公司
变更后 : 克里公司
变更前 : 克里研究公司
变更后 : 克里公司
1993-09-08 ：
授权
1992-12-09 ：
审定
1992-03-25 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1990-08-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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