光发射二极管结构
专利权的终止
摘要
一种光发射二极管结构，包含一光发射二极管及一套筒，该光发射二极管主要设有一承载架及复数接脚，该承载架上设有一芯片基座，该芯片基座上结合一导电垫片与一LED芯片，该LED芯片与其它接脚之间利用数条连接打线连接，并以封胶将上述元件及该些接脚的上端封装成型，而该封胶的顶面并设有一突部，该套筒对应套设于光发射二极管的突部，以供套筒与光发射二极管相互结合；如此，可有效简化制程及降低成本。
基本信息
专利标题 ：
光发射二极管结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200620133300.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2006-10-09
授权号 ：
CN200959340Y
授权日 ：
2007-10-10
发明人 ：
张暐黄仕杰陈怀辅
申请人 ：
东贝光电科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾台北县
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
谢丽娜
优先权 ：
CN200620133300.8
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L23/31 H01S5/00
法律状态
2016-11-23 ：
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101689446696
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2006201333008
申请日 : 20061009
授权公告日 : 20071010
终止日期 : 无
号牌文件序号 : 101689446696
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2006201333008
申请日 : 20061009
授权公告日 : 20071010
终止日期 : 无
2007-10-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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