一种检测阴极发射性能的二极管结构
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摘要
本实用新型公开了一种检测阴极发射性能的二极管结构，包括待测热丝阴极组件、阳极、二极管基座，二极管基座的由陶瓷环以及焊接在陶瓷环表面的阳极转接环组成，陶瓷环的端面焊接有阴极转接环，待测热丝阴极组件的表面固定套接有导电管，导电管的顶部固定连接有弹性垫圈，弹性垫圈的表面与阳极的表面插接，待测热丝阴极组件的一端与阳极的内壁插接。该检测阴极发射性能的二极管结构，通过设置定位装置，在装配时，导电块转动到与导电环的上表面插接后，停止转动，在弹性垫圈的作用力下将导电块的表面与导电环的表面插接固定，从而具有便于待测阴极的阴极面与二极管阳极面插接后固定的特点。
基本信息
专利标题 ：
一种检测阴极发射性能的二极管结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921781102.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-23
授权号 ：
CN210954234U
授权日 ：
2020-07-07
发明人 ：
江俊
申请人 ：
常州顺烨电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省常州市新北区河海西路195号
代理机构 ：
南通毅帆知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
韩冬
优先权 ：
CN201921781102.6
主分类号 ：
G01R31/25
IPC分类号 ：
G01R31/25 G01R1/04
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/25
••真空管的测试
法律状态
2020-07-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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