一种真空场致发射二极管
授权
摘要
本实用新型提供了一种真空场致发射二极管，涉及二极管技术领域，以解决现有技术中二极管无法在通过较大的电流的同时也具有高频开关性的问题，该真空场致发射二极管包括第一电极(2)、第二电极(3)和具有内腔的绝缘壳体(1)，第一电极(2)和第二电极(3)间隙设置于绝缘壳体(1)内，并在第一电极(2)与第二电极(3)之间形成真空腔(4)，第一电极(2)朝向第二电极(3)的一侧设置有凹面(21)，第二电极(3)上设置有尖锥(31)，尖锥(31)朝向凹面(21)的中心设置。本实用新型的真空场致发射二极管应用于高压大电流的电路上的整流及逆变，有实现容易、开关频率高、效率高等优点。
基本信息
专利标题 ：
一种真空场致发射二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123271937.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-23
授权号 ：
CN216624192U
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
王论衡王松阳郭雪耿聪侯怿黄庆云黄庆生
申请人 ：
王论衡
申请人地址 ：
黑龙江省哈尔滨市香坊区珠江路9号哈尔滨广播电视台
代理机构 ：
北京细软智谷知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王金凤
优先权 ：
CN202123271937.7
主分类号 ：
H01J19/56
IPC分类号 ：
H01J19/56 H01J19/42
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J19/00
H01J21/00组中包含的各种类型的真空管的零部件
H01J19/54
管壳；容器；与其相连的屏蔽罩
H01J19/56
按管壳或容器的材料区分的
法律状态
2022-05-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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