场致发射电极、其制造方法和电子装置
专利权的终止
摘要
将一种在X射线衍射中具有金刚石的图案并且由微粒直径为5nm到10nm的多个金刚石细微粒形成的电子发射膜形成在基板上。该电子发射膜可以在其使发射电流流动时将场强限制为低水平，并且该电子发射膜具有均匀的电子发射特性。
基本信息
专利标题 ：
场致发射电极、其制造方法和电子装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101065820A
申请号 ：
CN200580040587.8
公开（公告）日 ：
2007-10-31
申请日 ：
2005-11-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
西村一仁笹冈秀纪
申请人 ：
日本财团法人高知县产业振兴中心;卡西欧计算机株式会社
申请人地址 ：
日本高知县
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
王英
优先权 ：
CN200580040587.8
主分类号 ：
H01J1/304
IPC分类号 ：
H01J1/304
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J1/00
电极的、磁控装置的、屏的零部件及其设置或间隔，通用于两种以上基本类型的放电管或灯的零部件
H01J1/02
主电极
H01J1/30
冷阴极
H01J1/304
场致发射阴极
法律状态
2018-01-12 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01J 1/304
申请日 : 20051128
授权公告日 : 20100616
终止日期 : 20161128
申请日 : 20051128
授权公告日 : 20100616
终止日期 : 20161128
2010-06-16 ：
授权
2007-12-26 ：
实质审查的生效
2007-10-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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