极低成本的表面发射激光二极管阵列
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
单个半导体管芯上的半导体激光器阵列。所述管芯包括多个光学耦合到反射表面的激光器条。所述激光器条产生多个激光束，所述激光束在基本平行于所述管芯的上表面的方向上传播。所述反射表面使所述激光束改道以在基本垂直于上表面的方向上发射。备选地，所述反射表面可以使所述激光束改道以从管芯的底表面发射。所述反射表面可以通过蚀刻邻近取向的III－V族半导体管芯使得所述反射表面沿着所述管芯的(111)A晶面延伸而形成。
基本信息
专利标题 ：
极低成本的表面发射激光二极管阵列
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101164208A
申请号 ：
CN200680009396.X
公开（公告）日 ：
2008-04-16
申请日 ：
2006-01-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
M·奥索夫斯基J·E·安格
申请人 ：
昆特森斯光电技术公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
张雪梅
优先权 ：
CN200680009396.X
主分类号 ：
H01S5/00
IPC分类号 ：
H01S5/00
法律状态
2010-03-24 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-06-11 ：
实质审查的生效
2008-04-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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