一种带有沟槽的碳化硅二极管及其制备方法
公开
摘要
本发明公开了一种带有沟槽的碳化硅二极管及其制备方法，所述带有沟槽的碳化硅二极管，包括：碳化硅衬底，在碳化硅衬底上生长有碳化硅外延层，在碳化硅外延层上刻蚀有多个沟槽，沟槽底部设有耐压注入区，沟槽侧面设有改善注入区；在碳化硅衬底背面覆盖有欧姆金属电极，碳化硅外延层上方覆盖有多个肖特基金属电极；碳化硅衬底掺杂类型为第一导电类型，碳化硅外延层掺杂类型为第一导电类型，改善注入区的掺杂类型为第二导电类型，耐压注入区的掺杂类型为第二导电类型，解决了现有技术存在的正向导通电阻高和反向耐压低的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种带有沟槽的碳化硅二极管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628499A
申请号 ：
CN202210531485.1
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-05-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王中健
申请人 ：
成都功成半导体有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市高新区蜀锦路88号1栋2单元48层1号、2号
代理机构 ：
成都四合天行知识产权代理有限公司
代理人 ：
董斌
优先权 ：
CN202210531485.1
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/16 H01L29/47 H01L29/872 H01L21/329
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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