一种碳化硅沟槽IGBT结构及其制造方法

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摘要

本发明公开一种碳化硅沟槽IGBT结构，包括N‑漂移区、N‑型缓冲层、P型阱区、P+欧姆接触区、N+发射区、P+沟槽集电极区、沟槽集电极、P+集电极区、N+衬底层以及沟槽栅极、栅氧介质层；本发明相对于传统结构，主要提出了在集电极增加沟槽集电极，并且在沟槽集电极上方加入P+沟槽集电极，由于新器件P+沟槽集电极区上方没有N+缓冲层，增强了正向导通时的空穴注入效率，使得新器件开启电压降低；新器件关断时，沟槽集电极提供了低电阻通道，加快了电子的抽取，进一步降低了关断损耗。

基本信息

专利标题：

一种碳化硅沟槽IGBT结构及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111146274A

申请号：

CN202010002975.3

公开（公告）日：

2020-05-12

申请日：

2020-01-02

授权号：

CN111146274B

授权日：

2022-06-03

发明人：

王颖苏芳文包梦恬于成浩曹菲李兴冀杨剑群吕钢

申请人：

杭州电子科技大学

申请人地址：

浙江省杭州市杭州经济开发区白杨街道2号大街1158号

代理机构：

北京汇信合知识产权代理有限公司

代理人：

张焕响

优先权：

CN202010002975.3

主分类号：

H01L29/06

IPC分类号：

H01L29/06 H01L29/08 H01L29/739 H01L21/331 H01L21/28

法律状态

2022-06-03 ：

授权

2020-06-05 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20200102

2020-05-12 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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