一种低损耗高端理想二极管
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本实用新型公开了一种低损耗高端理想二极管，包括第一PMOS管、第二PMOS管、NMOS管、第一电阻、第二电阻和第三电阻，第一PMOS管的栅极和第二PMOS管的栅极均连接第一电阻的一端，第一电阻的另一端均连接第一PMOS管的源极和第二PMOS管的源极，第一电阻的一端连接NMOS管的漏极，NMOS管的栅极通过第二电阻连接第一PMOS管的漏极，NMOS管的栅极通过第三电阻连接NMOS管的源极。本实用新型有益效果：根据要求使用同型号的双PMOS管或者对管，正向导通时，电流损耗为微安级，压差小，损耗很低，可以作为一个理想的二极管；反向截止时，电流损耗基本为0，可以忽略不计；加权平均电流损耗小于微安级，大大降低了设备的功耗，延长了电池的工作时间，降低了设备维护成本。
基本信息
专利标题 ：
一种低损耗高端理想二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020206281.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-02-25
授权号 ：
CN211557134U
授权日 ：
2020-09-22
发明人 ：
陈石平彭进双
申请人 ：
广州奥格智能科技有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市天河区高普路1029、1031号2楼
代理机构 ：
深圳市创富知识产权代理有限公司
代理人 ：
彭海民
优先权 ：
CN202020206281.7
主分类号 ：
H02M1/088
IPC分类号 ：
H02M1/088 G06F1/26
法律状态
2021-03-23 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H02M 1/088
变更事项 : 专利权人
变更前 : 广州奥格智能科技有限公司
变更后 : 奥格科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 510663 广东省广州市天河区高普路1029、1031号2楼
变更后 : 510000 广东省广州市天河区高普路1029、1031号2楼（仅限办公）
变更事项 : 专利权人
变更前 : 广州奥格智能科技有限公司
变更后 : 奥格科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 510663 广东省广州市天河区高普路1029、1031号2楼
变更后 : 510000 广东省广州市天河区高普路1029、1031号2楼（仅限办公）
2020-09-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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