一种低损耗防倒灌高端负载开关电路
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本实用新型公开了一种低损耗防倒灌高端负载开关电路，包括第一PMOS管、第二PMOS管、NMOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻，第一PMOS管的栅极和第二PMOS管的栅极均连接第一电阻和第二电阻的一端，第一电阻的另一端分别连接第一PMOS管的源极和第二PMOS管的源极，第二电阻的另一端连接NMOS管的漏极，NMOS管的栅极通过第三电阻连接微处理器，NMOS管的源极通过第四电阻连接微处理器，NMOS管的源极接地。本实用新型有益效果：本实用新型低损耗防倒灌高端负载开关电路，根据不同需要使用不同型号的MOS管，使用高精度电阻R1、R2串联进行分压，控制双PMOS管的导通与截止，PMOS管和NMOS管属于电压器件，导通电流非常小，插入损耗小，可作为理想的低功耗防倒灌高端负载开关。
基本信息
专利标题 ：
一种低损耗防倒灌高端负载开关电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020206642.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-02-25
授权号 ：
CN211557239U
授权日 ：
2020-09-22
发明人 ：
陈石平彭进双
申请人 ：
广州奥格智能科技有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市天河区高普路1029、1031号2楼
代理机构 ：
深圳市创富知识产权代理有限公司
代理人 ：
彭海民
优先权 ：
CN202020206642.8
主分类号 ：
H03K17/16
IPC分类号 ：
H03K17/16
法律状态
2021-03-12 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H03K 17/16
变更事项 : 专利权人
变更前 : 广州奥格智能科技有限公司
变更后 : 奥格科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 510663 广东省广州市天河区高普路1029、1031号2楼
变更后 : 510000 广东省广州市天河区高普路1029、1031号2楼（仅限办公）
变更事项 : 专利权人
变更前 : 广州奥格智能科技有限公司
变更后 : 奥格科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 510663 广东省广州市天河区高普路1029、1031号2楼
变更后 : 510000 广东省广州市天河区高普路1029、1031号2楼（仅限办公）
2020-09-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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