一种超低损耗低端理想二极管
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本实用新型公开了一种超低损耗低端理想二极管，包括组合逻辑控制电路和第一NMOS管，组合逻辑控制电路包括第二NMOS管、第三NMOS管、第一电阻和第二电阻，第一NMOS管的漏极连接第二NMOS管的源极和电源负极，第一NMOS管的源极电连接第三NMOS管的源极，第一NMOS管的栅极电连接第三NMOS管的漏极，第二NMOS管的栅极连接第二NMOS管的漏极和第三NMOS管的栅极，第二NMOS管的漏极通过第一电阻接电源正极，第三NMOS管的漏极通过第二电阻接电源正极，负载接于电源正极和第一NMOS管的源极之间。本实用新型具有防止倒灌功能，可以保护前级电路，具有非常低的损耗，电路简单，实用性强。
基本信息
专利标题 ：
一种超低损耗低端理想二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020206261.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-02-25
授权号 ：
CN211557133U
授权日 ：
2020-09-22
发明人 ：
陈石平彭进双
申请人 ：
广州奥格智能科技有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市天河区高普路1029、1031号2楼
代理机构 ：
深圳市创富知识产权代理有限公司
代理人 ：
彭海民
优先权 ：
CN202020206261.X
主分类号 ：
H02M1/088
IPC分类号 ：
H02M1/088 G06F1/26
法律状态
2021-03-09 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H02M 1/088
变更事项 : 专利权人
变更前 : 广州奥格智能科技有限公司
变更后 : 奥格科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 510663 广东省广州市天河区高普路1029、1031号2楼
变更后 : 510000 广东省广州市天河区高普路1029、1031号2楼（仅限办公）
变更事项 : 专利权人
变更前 : 广州奥格智能科技有限公司
变更后 : 奥格科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 510663 广东省广州市天河区高普路1029、1031号2楼
变更后 : 510000 广东省广州市天河区高普路1029、1031号2楼（仅限办公）
2020-09-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
