一种理想二极管装置
授权
摘要
一种理想二极管装置，属于二极管技术领域，包括反接防倒灌电路、IIC通信模块、测量电压电流检测电路、电压隔离模块电路，所述反接防倒灌电路中2路P沟道MOS管SE100P60A并联，2路并联P沟道MOS管SE100P60A与2路并联的N沟道MOS管SE150180G进行串联；LTC4359芯片与ZMM12稳压二极管并联控制2路N沟道MOS管SE150180G。该装置具有防止倒灌功能,可以保护前级电路;具有电源防反接功能，可以保护电源反接带来的危害；具有IIC通讯电源电压电流测量功能，可以通过IIC总线了解每一通道的电压电流；具有两个通道可以一起分功能使用。
基本信息
专利标题 ：
一种理想二极管装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021733720.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-19
授权号 ：
CN213027981U
授权日 ：
2021-04-20
发明人 ：
陈猛党权岳雪
申请人 ：
沈阳吕尚科技有限公司
申请人地址 ：
辽宁省沈阳市中国（辽宁）自由贸易试验区沈阳片区全运路109-1号2层247-11724室
代理机构 ：
沈阳利泰专利商标代理有限公司
代理人 ：
张玉甫
优先权 ：
CN202021733720.6
主分类号 ：
H03K17/08
IPC分类号 ：
H03K17/08 H03K17/74 H02H11/00 G01R19/25
法律状态
2021-04-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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