耐高压功率二极管器件
授权
摘要
本实用新型公开一种耐高压功率二极管器件，其金属基座的上表面具有2个支撑部，所述2个二极管芯片位于金属基座正上方并且其各自同极性一端分别通过焊锡层与金属基座的2个支撑部电连接，位于金属基座下端的第一引脚部从环氧封装层内延伸出；所述引线架进一步包括横金属板和分别位于横金属板两端的第一竖金属板和第二竖金属板，所所述环氧封装层的下表面且位于2个所述第二引脚部左右侧均开有至少一个第一凹槽，所述环氧封装层的下表面且位于第一引脚部前后侧均开有至少一个第二凹槽。本实用新型既有利于进一步降低器件的体积和占用PCB电路板的面积，也有利于快速将二极管芯片热量扩散出。
基本信息
专利标题 ：
耐高压功率二极管器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020886235.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-25
授权号 ：
CN211858642U
授权日 ：
2020-11-03
发明人 ：
廖兵沈礼福
申请人 ：
苏州达晶微电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市高新区科技城培源路2号微系统园M1-204
代理机构 ：
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 ：
王健
优先权 ：
CN202020886235.6
主分类号 ：
H01L23/495
IPC分类号 ：
H01L23/495 H01L23/367 H01L23/31 H01L25/11
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/495
引线框架的
法律状态
2020-11-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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