智能高压大功率器件
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
智能高压大功率器件是一种具有自动限流保护的高压大功率VDMOS器件,由高压大功率分源VDMOSFET、电阻和过流限制器件组成,过流限制器件可以由双极型晶体管或MOS管构成,整个器件制作在同一硅片衬底上,可采用常规的VDMOSFET工艺实现,它既保持了高压大功率VDMOSFET的特性,又具有自动过流保护功能,大大提高了器件的可靠性,有利于简化器件应用电路,提高整机的可靠性,降低整机的成本。
基本信息
专利标题 :
智能高压大功率器件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN91213190.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
1991-02-07
授权号 :
CN2085564U
授权日 :
1991-09-25
发明人 :
茅盘松朱静远
申请人 :
东南大学
申请人地址 :
210018江苏省南京市四牌楼2号
代理机构 :
东南大学专利事务所
代理人 :
楼高潮
优先权 :
CN91213190.X
主分类号 :
H01L27/088
IPC分类号 :
H01L27/088
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
法律状态
1995-04-05 :
专利权的终止未缴年费专利权终止
1992-05-13 :
授权
1991-09-25 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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