高压MOS器件
授权
摘要
本发明提供了一种高压MOS器件，包括衬底、阱引出层、浅沟槽隔离层、第一有源区延伸层、源极、漏极及栅极，阱引出层及浅沟槽隔离层均内嵌在衬底内，第一有源区延伸层内嵌在浅沟槽隔离层内且与阱引出层间隔设置，当源极的电压为0V时，第一有源区延伸层的电压也为0V，且第一有源区延伸层在衬底底面上的投影与阱引出层在衬底底面上的投影不重合，栅极设置在浅沟槽隔离层及第一有源区延伸层背离衬底底面的一侧，且栅极与浅沟槽隔离层及第一有源区延伸层绝缘设置，源极和漏极设置在栅极的相对两侧。通过在浅沟槽隔离层内增设第一有源区延伸层，并使第一有源区延伸层的电压维持在0V，从而导致高压MOS器件的耗尽区变小，降低了阈值电压，缓解了体效应。
基本信息
专利标题 ：
高压MOS器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109994551A
申请号 ：
CN201910240952.3
公开（公告）日 ：
2019-07-09
申请日 ：
2019-03-26
授权号 ：
CN109994551B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
董洁琼
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
郝传鑫
优先权 ：
CN201910240952.3
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/06 H01L29/10
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2019-08-02 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20190326
申请日 : 20190326
2019-07-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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