改善高压MOS器件中STI形貌的方法
专利申请权、专利权的转移
摘要
本发明公开了一种改善高MOS器件中STI形貌的方法，首先采用干法刻蚀将场区的SiN打开，并去除光刻胶；然后采用氨基药液将场区裸露的硅衬底以及隔离氧化膜腐蚀掉一部分，使得STI上边缘角先足够的圆滑；最后利用干法刻蚀，进行硅衬底的刻蚀，将最终的浅沟槽开出。本发明可获得圆滑的浅沟隔离槽边缘形貌。
基本信息
专利标题 ：
改善高压MOS器件中STI形貌的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1964015A
申请号 ：
CN200510110234.2
公开（公告）日 ：
2007-05-16
申请日 ：
2005-11-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
俞波王飞郑萍
申请人 ：
上海华虹NEC电子有限公司
申请人地址 ：
201206上海市浦东新区川桥路1188号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
丁纪铁
优先权 ：
CN200510110234.2
主分类号 ：
H01L21/762
IPC分类号 ：
H01L21/762
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
H01L21/762
介电区
法律状态
2014-01-08 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101684702565
IPC(主分类) : H01L 21/762
专利号 : ZL2005101102342
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 上海华虹NEC电子有限公司
变更后权利人 : 上海华虹宏力半导体制造有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201206 上海市浦东新区川桥路1188号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
登记生效日 : 20131216
号牌文件序号 : 101684702565
IPC(主分类) : H01L 21/762
专利号 : ZL2005101102342
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 上海华虹NEC电子有限公司
变更后权利人 : 上海华虹宏力半导体制造有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201206 上海市浦东新区川桥路1188号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
登记生效日 : 20131216
2009-05-20 ：
授权
2007-07-11 ：
实质审查的生效
2007-05-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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