本发明公开了一种改善的半导体器件的背部开封方法，包括以下步骤：激光开封步骤：使用激光对半导体器件背面进行处理以去除半导体器件背部的模封体，直至封装于半导体器件内部的框架裸露出来；酸反应步骤：采用浓度为第一预设数值的硝酸去除铜框架；第一研磨步骤：采用粒度号为第二预设数值的砂纸进行研磨以使得芯片中的硅衬底减薄至预设高度。本发明的改善的半导体器件的背部开封方法针对于半导体器件中不同材质的不同层依次采用激光、酸反应以及研磨的方法来进行分层处理，不仅提高整个半导体器件背部开封的处理速度；且增大了芯片与铜框架之间相距较近的半导体器件的背部观测范围，进一步提升了芯片的观测效果。