改善晶圆翘曲的方法、半导体器件制备方法及半导体器件
公开
摘要
本公开提供一种改善晶圆翘曲的方法、半导体器件制备方法及半导体器件。该改善晶圆翘曲的方法包括：提供一翘曲的晶圆；其中，所述晶圆由于在其正面进行的离子注入或刻蚀工艺发生边缘向下的翘曲，且所述晶圆各位置处的翘曲度随其与所述晶圆的中心之间的距离的增大而增大；对所述晶圆的背面进行离子注入，以在所述晶圆的背面形成若干以所述晶圆的中心为中心且间隔设置的环形离子注入区，从而使背面离子注入与正面离子注入或刻蚀工艺产生的应力相互抵消；其中，各个所述环形离子注入区的径向宽度随其与所述晶圆的中心之间的距离的增大而增大。该方法能精准消除由正面工艺带来的晶圆翘曲，避免对后续工艺造成较大影响。
基本信息
专利标题 ：
改善晶圆翘曲的方法、半导体器件制备方法及半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566429A
申请号 ：
CN202011362084.5
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2020-11-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘启军郑昌伟丁杰钦卢吴越黄爱权赵艳黎李诚瞻罗海辉
申请人 ：
株洲中车时代半导体有限公司
申请人地址 ：
湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼三楼309室
代理机构 ：
北京聿宏知识产权代理有限公司
代理人 ：
吴大建
优先权 ：
CN202011362084.5
主分类号 ：
H01L21/266
IPC分类号 ：
H01L21/266 H01L29/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/26
用波或粒子辐射轰击的
H01L21/263
带有高能辐射的
H01L21/265
产生离子注入的
H01L21/266
应用掩膜的
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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