一种改善薄片翘曲的方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种改善晶片翘曲的方法，提供晶片；在晶片的正面外表面形成具有第一张应力的第一膜层；在晶片的反面外表面形成具有第二张应力的第二膜层，其中第二张应力与第一张应力的方向相反，使得第二张应力抵消第一张应力。本发明增大了晶片背面膜层的张应力，部分抵消了正面膜层的张应力，降低晶圆整体的应力，使得晶圆不会发生翘曲，不影响之后的加工。
基本信息
专利标题 ：
一种改善薄片翘曲的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284133A
申请号 ：
CN202111567753.7
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许有超谭秀文苏亚青
申请人 ：
华虹半导体（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区新洲路30号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘昌荣
优先权 ：
CN202111567753.7
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/3205
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20211221
申请日 : 20211221
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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