本发明涉及半导体领域。一种改善硅片边缘翘曲的方法，其特征在于，对切片后的硅片依次进行如下研磨步骤：步骤一，通过倒角砂轮磨削硅片边缘，进行一次倒角直径研削，一次倒角直径研削量为A,A为230μm‑270μm；步骤二，通过宽幅砂轮进行一次双面研磨,一次双面研磨的宽幅去除量为B，B为28μm‑32μm；步骤三，通过倒角砂轮磨削硅片边缘，进行二次倒角直径研削，二次倒角直径研削量为C,C为730μm‑770μm；步骤四，通过宽幅砂轮进行二次双面研磨，二次双面研磨的宽幅去除量为D,D为33μm‑37μm；A+C＝1000μm,B+D＝65μm。采用上述研磨步骤之后，有效的改善了硅片边缘翘曲引起的宽幅问题。