一种改善晶圆翘曲的SGT器件及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种改善晶圆翘曲的SGT器件及制作方法，该器件的源区包括若干元胞区，所述元胞区内沟槽为条形沟槽，相邻的元胞区内所述沟槽方向互相垂直。该制作方法包括：提供外延层，在所述外延层上形成若干元胞区，两两相邻所述元胞区的沟槽组方向互相垂直；所述沟槽组内的形成进一步形成栅结构；在所述栅结构两侧的所述外延层中，分别形成源极和漏极。本发明通过将元胞区内方向一致的条形沟槽设计更改为方向互相垂直的几个分区，平衡应力方向，降低对晶圆热处理及减薄后的翘曲度，保证后续工序的生产作业。
基本信息
专利标题 ：
一种改善晶圆翘曲的SGT器件及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334823A
申请号 ：
CN202111660471.1
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨秋冬赵志
申请人 ：
上海晶岳电子有限公司
申请人地址 ：
上海市松江区九亭镇沪亭北路99弄金地广场1号702室
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
郭蔚
优先权 ：
CN202111660471.1
主分类号 ：
H01L21/8234
IPC分类号 ：
H01L21/8234 H01L27/088 H01L29/423
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8234
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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