一种改善晶圆翘曲变形的芯片结构及其制备方法
授权
摘要
一种改善晶圆翘曲变形的芯片结构及其制备方法，本发明涉及半导体器件制造领域，为改善改善晶圆翘曲的问题，本发明通过在划片道区引入更宽的辅助沟槽，且在辅助沟槽内产生与器件区沟槽相反的应力，彼此相互抵消，释放整个晶圆的应力，改善效果好。
基本信息
专利标题 ：
一种改善晶圆翘曲变形的芯片结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114203648A
申请号 ：
CN202210154384.7
公开（公告）日 ：
2022-03-18
申请日 ：
2022-02-21
授权号 ：
CN114203648B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
刘永冯浩单建安
申请人 ：
安建科技（深圳）有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区新安街道海滨社区N26区宝兴路21号万骏经贸大厦1108
代理机构 ：
深圳市千纳专利代理有限公司
代理人 ：
袁燕清
优先权 ：
CN202210154384.7
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L23/00 H01L21/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2022-04-05 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/31
申请日 : 20220221
申请日 : 20220221
2022-03-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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