本发明提供一种芯片翘曲变形测量方法及装置，方法包括：采用光束平差法标定双目相机的内外参数同时对所述双目相机二次校正得到相机标定结果；采用标定好的所述双目相机在第一温度下采集待测样本的散斑图案的第一图像，所述待测样品预先制备所述散斑图案；所述第一图像包括第一左图像和第一右图像；将所述待测样本的温度加热或冷却至第二温度并采用标定好的所述双目相机在所述第二温度下采集所述待测样本的散斑图案的第二图像；所述第二图像包括第二左图像和第二右图像；获取所述第一图像和所述第二图像的像素点的三维坐标；依据所述三维坐标计算所述待测样本的翘曲、应变和热膨胀系数；提升测量效率与精度。