一种降低翘曲的芯片级封装结构及其制备方法
授权
摘要
本发明公开了一种降低翘曲的芯片级封装结构，包括：金属基层以及位于所述金属基层上的芯片封装体；在所述金属基层上的所述芯片封装体周围还设有环绕所述芯片封装体的导电线，所述导电线上设有延伸到所述芯片封装体上表面的外延结构。本发明还公开了一种降低翘曲的芯片级封装结构的制备方法。本发明通过金属基层以及具有外延结构的导电线组成包封箍结构对芯片封装体进行包封，能够在发生翘曲时对芯片封装体形成较好的保护。
基本信息
专利标题 ：
一种降低翘曲的芯片级封装结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420676A
申请号 ：
CN202210328945.0
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-03-31
授权号 ：
CN114420676B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
丁晓春李宗怿梁新夫倪洽凯郝俊峰
申请人 ：
长电集成电路（绍兴）有限公司
申请人地址 ：
浙江省绍兴市临江路500号
代理机构 ：
重庆中之信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
梁欣
优先权 ：
CN202210328945.0
主分类号 ：
H01L23/552
IPC分类号 ：
H01L23/552 H01L23/00 H01L23/49 H01L23/538 H01L21/48 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/552
防辐射保护装置，例如光
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/552
申请日 : 20220331
申请日 : 20220331
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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