芯片级硅穿孔散热结构
专利权的终止
摘要
本实用新型涉及一种芯片级硅穿孔散热结构，包括倒装裸芯片(1)，其特征在于：a.于倒装裸芯片(1)背面对芯片硅材料穿盲孔(5)至焊垫金属区，b.盲孔(5)表面及芯片背面覆有金属膜(2)层，c.覆有金属膜(2)层的倒装裸芯片(1)背面复有导热金属层(3)，该导热金属层(3)充填至盲孔(5)内。本实用新型改变传统间接散热方式，以倒装封装工艺，使裸芯片经硅穿孔后充填金属或导热胶等，使芯片直接散热。该直接散热方式芯片热量散发快，芯片性能稳定，使用寿命长。
基本信息
专利标题 ：
芯片级硅穿孔散热结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200620073202.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2006-05-26
授权号 ：
CN2909521Y
授权日 ：
2007-06-06
发明人 ：
王新潮赖志明
申请人 ：
江阴长电先进封装有限公司
申请人地址 ：
214431江苏省江阴市滨江中路275号
代理机构 ：
江阴市同盛专利事务所
代理人 ：
唐纫兰
优先权 ：
CN200620073202.X
主分类号 ：
H01L23/36
IPC分类号 ：
H01L23/36
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
法律状态
2015-07-15 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101617350963
IPC(主分类) : H01L 23/36
专利号 : ZL200620073202X
申请日 : 20060526
授权公告日 : 20070606
终止日期 : 20140526
号牌文件序号 : 101617350963
IPC(主分类) : H01L 23/36
专利号 : ZL200620073202X
申请日 : 20060526
授权公告日 : 20070606
终止日期 : 20140526
2007-06-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
