本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，其中所述半导体器件的制备方法包括以下步骤：提供一晶圆，晶圆包括至少一个长沟道源漏极预设区和短沟道源漏极预设区；形成掩膜层于晶圆的上表面，且短沟道源漏极预设区上的掩膜层厚度大于长沟道源漏极预设区上的掩膜层厚度；去除部分掩膜层，使得长沟道源漏极预设区上的掩膜层厚度少于设定值；将第一掺杂离子注入晶圆的上表面；将第二掺杂离子注入晶圆的上表面；刻蚀晶圆，以在所述晶圆的长沟道源漏极预设区和短沟道源漏极预设区形成沟槽结构；在沟槽结构中生长半导体材料，以形成源区和漏区。通过本发明的半导体器件的制备方法能够改善长沟道区的半导体材料生长的厚度。