高压MOS器件及其制作方法、电子装置

授权

摘要

本发明提供一种高压MOS器件及其制作方法、电子装置，该高压MOS器件包括：半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构，在所述栅极结构两侧的所述半导体衬底中形成有源极和漏极，所述栅极结构包括位于所述半导体衬底上的栅极介质层，位于所述栅极介质层之上的浮栅、位于所述浮栅侧壁和上方的栅间隔离层，以及覆盖所述浮栅和所述漏极之间的半导体衬底且至少部分覆盖所述浮栅的控制栅，在所述浮栅和所述漏极之间的半导体衬底中形成有漏端漂移区。该高压MOS器件可以实现10V以上的耐压。该高压MOS器件的制作方法和电子装置具有类似的优点。

基本信息

专利标题：

高压MOS器件及其制作方法、电子装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109979993A

申请号：

CN201711460711.7

公开（公告）日：

2019-07-05

申请日：

2017-12-28

授权号：

CN109979993B

授权日：

2022-05-27

发明人：

金炎

申请人：

无锡华润上华科技有限公司

申请人地址：

江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号

代理机构：

北京市磐华律师事务所

代理人：

高伟

优先权：

CN201711460711.7

主分类号：

H01L29/423

IPC分类号：

H01L29/423 H01L29/788 H01L21/336 H01L21/28