一种电子器件及其制作方法、电子设备
公开
摘要
本申请实施例提供一种电子器件及其制作方法、电子设备，涉及半导体技术领域。用于在平面内生长纳米线。该电子器件可以包括衬底以及至少一条纳米线。其中，衬底上具有至少一条沟槽。纳米线嵌入沟槽内。该沟槽具有至少一个槽壁，一条纳米线沿沟槽的一个槽壁延伸，且与沟槽的槽底相接触。沟槽的槽壁具有导向作用，使得纳米线可以沿槽壁的延伸方向，在沟槽的槽底所在的平面内生长，有利于电子器件的大规模制作。上述沟槽的槽底所在的平面可以与电路板用于承载电子器件的表面平行。因此当纳米线在沟槽的槽底所在的平面内生长时，有利于电子器件在电路板上的大规模集成。
基本信息
专利标题 ：
一种电子器件及其制作方法、电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582974A
申请号 ：
CN202011376950.6
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-11-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
余林蔚张廷刘宗光王军转刘俊彦陈英杰刘至哲吴欣凯刘云飞
申请人 ：
荣耀终端有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市福田区香蜜湖街道东海社区红荔西路8089号深业中城6号楼A单元3401
代理机构 ：
北京中博世达专利商标代理有限公司
代理人 ：
贾莹
优先权 ：
CN202011376950.6
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/06 H01L21/336
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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