一种半导体器件及其制作方法、电子装置
授权
摘要
本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置,所述方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底的源漏区形成有凹槽;在所述凹槽中形成嵌入式硅锗层;在所述嵌入式硅锗层上形成缓冲层;在所述缓冲层上形成盖帽层。根据本发明提供的半导体器件的制作方法,通过在嵌入式硅锗层和盖帽层之间形成缓冲层,以避免随着温度升高锗原子气化导致嵌入式硅锗层中的锗含量降低,从而保证半导体器件的性能稳定,提高产品良率。
基本信息
专利标题 :
一种半导体器件及其制作方法、电子装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN109962108A
申请号 :
CN201711407718.2
公开(公告)日 :
2019-07-02
申请日 :
2017-12-22
授权号 :
CN109962108B
授权日 :
2022-05-20
发明人 :
刘震宇
申请人 :
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请人地址 :
上海市浦东新区张江路18号
代理机构 :
北京市磐华律师事务所
代理人 :
董巍
优先权 :
CN201711407718.2
主分类号 :
H01L29/78
IPC分类号 :
H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-05-20 :
授权
2019-07-26 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20171222
申请日 : 20171222
2019-07-02 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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