一种半导体器件及其制作方法、电子装置
授权
摘要
本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底的源漏区形成有凹槽；在所述凹槽中形成嵌入式硅锗层；在所述嵌入式硅锗层上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成盖帽层。根据本发明提供的半导体器件的制作方法，通过在嵌入式硅锗层和盖帽层之间形成缓冲层，以避免随着温度升高锗原子气化导致嵌入式硅锗层中的锗含量降低，从而保证半导体器件的性能稳定，提高产品良率。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体器件及其制作方法、电子装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109962108A
申请号 ：
CN201711407718.2
公开（公告）日 ：
2019-07-02
申请日 ：
2017-12-22
授权号 ：
CN109962108B
授权日 ：
2022-05-20
发明人 ：
刘震宇
申请人 ：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江路18号
代理机构 ：
北京市磐华律师事务所
代理人 ：
董巍
优先权 ：
CN201711407718.2
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-05-20 ：
授权
2019-07-26 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20171222
申请日 : 20171222
2019-07-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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