改善高压NMOS器件隔离特性的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种改善高压NMOS器件隔离特性的方法，采用LOCOS工艺，其中，场氧厚度为3300∴～4500∴，低压P阱的防穿通注入剂量为B(硼)4e12～B1e13，能量为100KeV。本发明可获得较高的场管开启电压，即获得好的高压器件隔离特性。
基本信息
专利标题 ：
改善高压NMOS器件隔离特性的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1964004A
申请号 ：
CN200510110231.9
公开（公告）日 ：
2007-05-16
申请日 ：
2005-11-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
俞波
申请人 ：
上海华虹NEC电子有限公司
申请人地址 ：
201206上海市浦东新区川桥路1188号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
丁纪铁
优先权 ：
CN200510110231.9
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/8232 H01L21/762 H01L29/78 H01L27/085
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2009-05-06 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-07-11 ：
实质审查的生效
2007-05-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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