一种GaN基器件隔离的方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种GaN基器件隔离的方法，在GaN HEMT结构表面需要做器件隔离的区域蒸镀Fe膜，采用脉冲激光加热Fe膜覆盖区域，合理控制激光脉冲能量，加速Fe扩散进入样品并使样品重结晶，从而将Fe并入样品晶格。Fe杂质在GaN基材料中是深能级杂质，在需要隔离的区域掺杂Fe可形成高阻态，从而实现器件隔离的目的。该方法通过高能激光脉冲使样品出现重结晶，在重结晶过程中引入Fe杂质，能够减少隔离区域的缺陷密度。
基本信息
专利标题 ：
一种GaN基器件隔离的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267629A
申请号 ：
CN202111376312.9
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-11-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王蓉开翠红皮孝东刘小平杨德仁
申请人 ：
浙江大学杭州国际科创中心
申请人地址 ：
浙江省杭州市萧山区建设3路733号
代理机构 ：
杭州裕阳联合专利代理有限公司
代理人 ：
张解翠
优先权 ：
CN202111376312.9
主分类号 ：
H01L21/762
IPC分类号 ：
H01L21/762 H01L29/06 H01L21/335
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
H01L21/762
介电区
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/762
申请日 : 20211119
申请日 : 20211119
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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