LDMOS器件场板隔离介质层的制作方法及LDMOS器件
实质审查的生效
摘要
本发明涉及半导体领域，提供一种LDMOS器件场板隔离介质层的制作方法及LDMOS器件。所述LDMOS器件场板隔离介质层的制作方法包括：在硅衬底上依次生长硅氧化物层和氮化物层；对氮化物层和硅氧化物层进行刻蚀处理形成刻蚀窗口；沿刻蚀窗口对硅衬底进行热氧化处理，以在硅衬底上生长硅氧化物牺牲层；去除硅氧化物牺牲层以在硅衬底上形成沉积槽；在沉积槽内沉积介质材料，以在硅衬底上形成介质层；对所述介质层进行平坦化处理。本发明通过热氧化形成的牺牲层，刻蚀牺牲层形成沉积槽，相对于现有STI工艺，对硅衬底没有损伤，因此不需要进行高温退火处理，且形成的场板隔离介质层的界面平整，平坦性好。
基本信息
专利标题 ：
LDMOS器件场板隔离介质层的制作方法及LDMOS器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335155A
申请号 ：
CN202210250839.5
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2022-03-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
余山赵东艳王于波陈燕宁付振刘芳王凯吴波邓永峰刘倩倩郁文
申请人 ：
北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请人地址 ：
北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层
代理机构 ：
北京润平知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈潇潇
优先权 ：
CN202210250839.5
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20220315
申请日 : 20220315
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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