HEMT器件及其自隔离方法、制作方法
授权
摘要
本发明公开了一种HEMT器件及其自隔离方法、制作方法。所述自隔离方法包括：在表面具有图形化低温结晶层的衬底上外延生长具有横向极性结构的外延层，并通过调控外延生长条件，使形成的金属极性区的表面和氮极性区的表面之间存在设定高度差，从而使所述金属极性区和氮极性区中的任一者之内形成的二维电子气或二维空穴气被另一者隔断，该任一者用于制作HEMT主体结构。本发明实施例提供的一种HEMT器件的隔离方法，在外延结构生长完成时即同步实现隔离，无需额外进行光刻、等离子体刻蚀或离子束注入等工艺。
基本信息
专利标题 ：
HEMT器件及其自隔离方法、制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113394096A
申请号 ：
CN202110665142.X
公开（公告）日 ：
2021-09-14
申请日 ：
2021-06-16
授权号 ：
CN113394096B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
郭炜叶继春戴贻钧徐厚强
申请人 ：
中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请人地址 ：
浙江省宁波市镇海区庄市大道519号
代理机构 ：
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
赵世发
优先权 ：
CN202110665142.X
主分类号 ：
H01L21/335
IPC分类号 ：
H01L21/335 H01L29/06 H01L29/778
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2021-10-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/335
申请日 : 20210616
申请日 : 20210616
2021-09-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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