一种高压AlGaN/GaN HEMT器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种高压AlGaN/GaN HEMT器件。所述器件包括AlGaN/GaN外延，AlGaN/GaN外延上表面的两端分别连接源漏电极，所述源漏电极靠近源极侧设置p‑GaN层，在所述p‑GaN层由中心向两侧进行开槽，并在开槽处设置栅电极，形成T型栅。由于栅极两侧的p‑GaN层可以拉伸下方的AlGaN势垒层的能带，从而影响栅极边缘的电场分布，结合T型栅场板的作用，降低了靠近漏极侧栅极边缘的电场峰值，提高了器件的击穿电压。
基本信息
专利标题 ：
一种高压AlGaN/GaN HEMT器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020366244.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-21
授权号 ：
CN212783460U
授权日 ：
2021-03-23
发明人 ：
王洪高升廖碧艳李先辉
申请人 ：
中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学
申请人地址 ：
广东省中山市火炬开发区中心城区祥兴路6号212房
代理机构 ：
广州粤高专利商标代理有限公司
代理人 ：
江裕强
优先权 ：
CN202020366244.2
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L29/06 H01L29/423 H01L21/335
法律状态
2021-03-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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