一种高压DMOS器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种高压DMOS器件，包括p型半导体衬底，所述p型半导体衬底的正面设有n‑高阻漂移层，所述p型半导体衬底的背面设有氧化铍隔离层，所述n‑高阻漂移层的两侧设有n型外延层，所述n型外延层的高度小于n‑高阻漂移层的高度，所述n型外延层和n‑高阻漂移层之间构成P型掺杂陷阱，所述p型掺杂陷阱内设有注入沟道层，所述注入沟道层包括设置在p型掺杂陷阱内的第一扩散层，所述第一扩散层的上方设有第二扩散层，所述p型掺杂陷阱内嵌设有源极，所述n‑高阻漂移层的顶部接有漏极。本实用新型具有较强的耐压性。
基本信息
专利标题 ：
一种高压DMOS器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921830824.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-29
授权号 ：
CN210743952U
授权日 ：
2020-06-12
发明人 ：
李冰
申请人 ：
浙江艾水科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省舟山市定海区舟山高新技术产业园区新港园区大成四路1号标准厂房D
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921830824.6
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/06 H01L21/336
法律状态
2020-06-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
